Mohamed M. Atalla محمد عطاالله (4 août 1924 - 30 décembre 2009) est un ingénieur, chimiste, cryptographe, inventeur et entrepreneur égypto-américain.
Mohamed M. Atalla[1] est né à Port-Saïd, en Égypte. Il a étudié à l’Université du Caire en Égypte, où il a obtenu son baccalauréat ès sciences. Il s’est ensuite rendu aux États-Unis, étudiant le génie mécanique à l’Université Purdue. Il obtient sa maîtrise en 1947 et son doctorat en 1949, tous deux en génie mécanique. Sa thèse de maîtrise était «High Speed Flow in Square Diffusers» publiée en 1948, et sa thèse de doctorat était « High Speed Compressible Flow in Square Diffusers» publiée en janvier 1949[2].محمد محمد عطا الله (بالإنجليزية: Mohamed Atalla) (4 أغسطس 1924 – 30 ديسمبر 2009) مهندس مصري-أمريكي، وكيميائي فيزيائي، ومشفِّر، ومخترع ورجل أعمال. وضع عمله الرائد في تكنولوجيا أشباه الموصلات الأسس للإلكترونيات الحديثة.محمد محمد عطا الله (بالإنجليزية: Mohamed Atalla) (4 أغسطس 1924 – 30 ديسمبر 2009) مهندس مصري-أمريكي، وكيميائي فيزيائي، ومشفِّر، ومخترع ورجل أعمال. وضع عمله الرائد في تكنولوجيا أشباه الموصلات الأسس للإلكترونيات الحديثة. الأهم من ذلك، اختراعه موسفت (ترانزستور الأثر الحقلي للأكاسيد المعدنية لأشباه الموصلات، أو الترانزستور موس) في عام 1959، إلى جانب عمليات التخميل السطحي والأكسدة الحرارية (الأساس لتكنولوجيا أشباه الموصلات السيليكونية مثل شريحة الدارة المتكاملة أحادية الليثية) السابقة له، أحدث ثورة في صناعة الإلكترونيات. يُعرف أيضًا باسم مؤسس شركة أمن البيانات «شركة عطا الله» (المعروفة الآن باسم يوتيماكو عطا الله)، تأسست عام 1972، والتي قدمت أول وحدة أمن الأجهزة، وكان رائدًا في مجال أمن الإنترنت. حصل على ميدالية ستيوارت بالانتين (حاليًا باسم ميدالية بينجامين فرانكلين في الفيزياء)، وأُدخِل في قاعة مشاهير المخترعين الوطنيين لمساهماته الهامة في تكنولوجيا أشباه الموصلات وكذلك أمن البيانات.
وُلد في بورسعيد، مصر، وتلقى تعليمه في جامعة القاهرة في مصر ثم في جامعة بوردو في الولايات المتحدة، قبل انضمامه إلى مختبرات بِل في عام 1949 واعتمد لاحقًا الأسماء الأكثر إنكليزية «جون» أو «مارتن» محمد عطا الله كأسماء مهنية. حقق سلسلة من الاختراقات في تكنولوجيا أشباه الموصلات خلال 1956-1962، بدءًا بتطويره في عمليات التخميل السطحي وعمليات الأكسدة الحرارية (الأساس لتكنولوجيات أشباه الموصلات السيليكونية مثل عملية التبلر وشرائح الدارات المتكاملة المتجانسة)، يليه اختراعه موسفت (مع داون كانغ) في عام 1959، ثم عمليات تصنيع أشباه الموصلات من نوع إن (موس-إن) ومن نوع بّي (موس-بّي)، واقتراحه لشريحة الدارة المتكاملة موس في عام 1960، ومبرهناته في ترانزستورات الإلكترونيات النانوية ودَيودات شوتكي العملية. أدّى عمل عطا الله الرائد في مختبرات بِل إلى وضع أسس للإلكترونيات الحديثة، وقيام ثورة السيليكون، وثورة التكنولوجيا الرقمية. يعد موسفت على وجه الخصوص الركيزة الأساسية للإلكترونيات الحديثة، ويُعد أهم اختراع في مجال الإلكترونيات. يُعد أيضًا من أكثر الأجهزة المصنَّعة على نطاق واسع في التاريخ، ويطلق مكتب الولايات المتحدة لبراءات الاختراع والعلامات التجارية عليه «اختراع رائد طوّر الحياة والثقافة حول العالم».
أُهملَ اختراعه (موسفت) في البداية في مختبرات بِل، ما أدّى إلى استقالته من مختبرات بِل والانضمام إلى شركة هوليت-باكارد (إتش بّي)، حيث أسس مختبر أشباه الموصلات في عام 1962 ثم مختبرات إتش بّي في عام 1966، قبل مغادرته للانضمام إلى شركة فيرتشايلد لأشباه الموصلات وقسم الإلكترونيات الضوئية في عام 1969. تضمن عمله في شركات إتش بّي وفيرتشايلد مزيدًا من الأبحاث حول دَيودات شوتكي، بالإضافة إلى الأبحاث حول تقنيات زرنيخيد الغاليوم، وفوسفيد زرنيخيد الغاليوم، وإنديوم زرنيخيد، والثنائي الباعث للضوء (إل إي دي)، والمساهمة في تطوير أجهزة تحليل الشبكة عالية التردد، وتطوير أول تطبيق لشاشات إل إي دي، واقتراح أجهزة القراءة البصرية إل إي دي.
ترك فيما بعد صناعة أشباه الموصلات، وأصبح رائد أعمال في التشفير وأمن البيانات وأمن الحاسوب. في عام 1972، أسس شركة عطا الله، وقدم براءة اختراع لنظام أمن رقم التعريف الشخصي (بّي آي إن) عن بعد عبر شبكات الاتصالات السلكية واللاسلكية، وهي مقدمة للخدمات المصرفية عبر الهاتف وأمن الإنترنت والتجارة الإلكترونية.
في عام 1973، أصدر أول وحدة أمن الأجهزة، وهي «صندوق عطا الله» التي قامت بتشفير رسائل (رقم التعريف الشخصي) ورسائل (ماكينة الصراف الآلي)، واستمرت في تأمين غالبية معاملات ماكينة الصراف الآلي في العالم. وأطلق عطا الله نظامًا مسبقاً للمعالجة العملياتية المتصلة عبر الإنترنت في عام 1976 وأول معالج لأمن الشبكات (إن إس بّي) في عام 1979، ثم أسس شركة أمن الإنترنت تيستراتا في التسعينيات. تقديرًا لعمله على نظام رقم التعريف الشخصي (بّي آي إن) لإدارة أمن المعلومات وكذلك أمن الحاسوب، أُشير إلى عطا الله باعتباره «الأب لرمز بّي آي إن» ورائد في تكنولوجيا أمن المعلومات. توفّي في أثيرتون، كاليفورنيا، في 30 ديسمبر 2009.
النشأة والتعليم (1924-1949)
وُلد محمد محمد عطا الله في بورسعيد، مصر. درس في جامعة القاهرة في مصر، حيث حصل على درجة بكالوريوس العلوم. ذهب بعد ذلك إلى الولايات المتحدة، لدراسة الهندسة الميكانيكية في جامعة بوردو. حيث حصل على درجة الماجستير في عام 1947 وشهادة الدكتوراه في عام 1949، وكلاهما في الهندسة الميكانيكية. كانت أطروحته للماجستير في «تدفق عالي السرعة في الناشرات المربعة» التي نُشرت في عام 1948، وأطروحة الدكتوراه له بعنوان «تدفق مضغوط عالي السرعة في الناشرات المربعة» الذي نُشر في يناير 1949.
مختبرات بِل الهاتفية (1949-1962)
بعد الانتهاء من درجة الدكتوراه في جامعة بوردو، عمل عطا الله في مختبرات بِل الهاتفية (بي تي إل) في عام 1949. في عام 1950، بدأ العمل في عمليات مختبر بِل في مدينة نيويورك، حيث عمل على المشكلات المتعلقة بموثوقية المرحلات الكهروميكانيكية، وعلى شبكات الهاتف المعتمدة على تبديل الدارات. مع ظهور الترانزستورات، تم نقل عطا الله إلى مختبر موراي هيل، ومن هناك بدأ بقيادة فريق صغير لأبحاث الترانزستور في عام 1956. على الرغم من أنه جاء من مجال الهندسة الميكانيكية دون أن يتلقى تعليم رسمي في الكيمياء الفيزيائية، فقد أثبت نفسه باعتباره متعلّمًا سريعًا في الكيمياء الفيزيائية وفيزياء أشباه الموصلات، ما يدل في نهاية المطاف على مستوى عالٍ من المهارة في هذه المجالات. بحث من بين أمور أخرى، في الخصائص السطحية لأشباه الموصلات السيليكونية واستخدام السيليكا كطبقة واقية من أجهزة أشباه الموصلات السيليكونية. في النهاية تبنى الاسم المستعار المعروف «مارتن» محمد عطا الله أو «جون» محمد عطا الله لمهنته الاحترافية.
بين عامي 1956 و 1960، قاد عطا الله فريقًا صغيرًا من العديد من باحثي مختبرات بِل الهاتفية، بما في ذلك إيلين تانينباوم وإدوين جوزيف شيبنر وداون كانغ. كانوا مثله متطوعين جدد في مختبرات بِل الهاتفية، دون وجود باحثين كبار في الفريق.
في البداية لم يؤخذ عملهم على محمل الجد من قبل الإدارة العليا في بي تي إل ومالكها إيه تي أند تي، نظرًا لأن الفريق يتكون من متطوعين جدد، وبسبب أن قائد الفريق عطا الله نفسه يأتي من خلفية هندسية ميكانيكية، على عكس الفيزيائيين والكيميائيين الفيزيائيين وعلماء الرياضيات الذين أُخذوا بجدية أكبر، على الرغم من أن عطا الله أظهر مهارات متقدمة في فيزياء الكيمياء وفيزياء أشباه الموصلات.
بصرف النظر عن أن عملهم كان في الغالب بمفردهم، حقق عطا الله وفريقه تطورات مهمة في تكنولوجيا أشباه الموصلات. وفقًا لمهندس فيرتشايلد لأشباه الموصلات تشيه-تانغ ساه، فإن عمل عطا الله وفريقه خلال 1956-1960 كان «أهم تطور تكنولوجي مُعتبر» في تكنولوجيا أشباه الموصلات السيليكونية، بما في ذلك تاريخ الترانزستورات وهندسة الإلكترونيات الدقيقة.
التخميل السطحي بواسطة الأكسدة الحرارية
كان التركيز الأولي لأبحاث عطا الله هو حل مشكلة حالات سطح السيليكون. في ذلك الوقت، كانت الموصلة الكهربائية لمواد أشباه الموصلات مثل الجرمانيوم والسليكون محدودة بسبب حالات سطح الكم غير المستقرة، أي تكون الإلكترونات محاصرة على السطح، بسبب الروابط الحرّة التي تحدث بسبب وجود روابط غير مشبّعة على السطح. هذا يمنع الكهرباء من اختراق السطح بشكل موثوق للوصول إلى طبقة السيليكون شبه الموصلة. نظرًا لمشكلة الحالة السطحية، كان الجرمانيوم هو المادة الغالبة لأشباه الموصلات بالنسبة للترانزستورات وأجهزة أشباه الموصلات الأخرى في صناعة أشباه الموصلات السابقة، إذ كان الجرمانيوم قادرًا على زيادة حركية الإلكترونات.
| Naissance | Port-Saïd |
|---|---|
| Décès | (à 85 ans) Atherton |
| Pseudonymes | Martin Atalla, John Atalla |
| Nationalité | égyptienne |
| Formation | Université Purdue |
| Activités |
| Distinction |
|---|
Mohamed M. Atalla محمد عطاالله (4 août 1924 - 30 décembre 2009) est un ingénieur, chimiste, cryptographe, inventeur et entrepreneur égypto-américain.
Biographie
Il était un pionnier des semi-conducteurs qui a apporté d'importantes contributions à l'électronique moderne. Il est surtout connu pour avoir inventé le MOSFET (transistor à effet de champ métal-oxyde-semiconducteur, ou transistor MOS) en 1959 (avec son collègue Dawon Kahng), qui, avec les premiers procédés de passivation de surface et d'oxydation thermique d'Atalla, a révolutionné l'industrie électronique. Il est également connu comme le fondateur de la société de sécurité des données Atalla Corporation (maintenant Utimaco Atalla), fondée en 1972. Il a reçu la médaille Stuart Ballantine (maintenant la médaille Benjamin Franklin en physique) et a été intronisé au National Inventors Hall of Fame pour ses contributions importantes à la technologie des semi-conducteurs ainsi qu'à la sécurité des données.
Né à Port-Saïd, en Égypte, il a fait ses études à l'Université du Caire en Égypte, puis à l'Université Purdue aux États-Unis, avant de rejoindre les Bell Labs en 1949 et d'adopter plus tard les noms plus anglicisés « John » ou « Martin » M. Atalla comme noms professionnels. Il a fait plusieurs contributions importantes à la technologie des semi-conducteurs chez Bell, y compris son développement des processus de passivation de surface et d'oxydation thermique (la base de la technologie des semi-conducteurs au silicium tels que le procédé planar et les puces de circuits intégrés monolithiques), son invention du MOSFET avec Kahng en 1959, et les procédés de fabrication PMOS et NMOS. Le travail de pionnier d'Atalla chez Bell a contribué à l'électronique moderne, à la révolution du silicium et à la révolution numérique. Le MOSFET en particulier est le bloc de construction de base de l'électronique moderne et est considéré comme l'une des inventions les plus importantes de l'électronique. C'est également l'appareil le plus fabriqué de l'histoire, et l'Office américain des brevets et des marques l'appelle une « invention révolutionnaire qui a transformé la vie et la culture dans le monde entier ».
Son invention du MOSFET a d'abord été négligée chez Bell, ce qui l'a conduit à démissionner de Bell et à rejoindre Hewlett-Packard (HP), fondant son Semiconductor Lab en 1962 puis HP Labs en 1966, avant de partir pour rejoindre Fairchild Semiconductor, fondant son Microwave & division Optoélectronique en 1969. Ses travaux chez HP et Fairchild comprenaient des recherches sur les technologies des diodes Schottky, de l'arséniure de gallium (GaAs), du phospho-arséniure de gallium (GaAsP), de l'arséniure d'indium (InAs) et des diodes électroluminescentes (LED).
Il a ensuite quitté l'industrie des semi-conducteurs et est devenu entrepreneur dans le domaine de la cryptographie et de la sécurité des données. En 1972, il fonde Atalla Corporation et dépose un brevet pour un système de sécurité à distance par numéro d'identification personnel (PIN). En 1973, il a sorti le premier module de sécurité matériel, la "Atalla Box", qui cryptait les messages PIN et ATM, et a continué à sécuriser la majorité des transactions ATM dans le monde. Il a ensuite fondé la société de sécurité Internet TriStrata Security dans les années 1990. En reconnaissance de son travail sur le système PIN de gestion de la sécurité de l'information ainsi que sur la cybersécurité, Atalla a été désigné comme le "père du PIN" et un pionnier de la sécurité de l'information. Il est décédé à Atherton, en Californie, le 30 décembre 2009.
Bibliographie
Éducation (1924 - 1949)
Mohamed M. Atalla[1] est né à Port-Saïd, en Égypte. Il a étudié à l’Université du Caire en Égypte, où il a obtenu son baccalauréat ès sciences. Il s’est ensuite rendu aux États-Unis, étudiant le génie mécanique à l’Université Purdue. Il obtient sa maîtrise en 1947 et son doctorat en 1949, tous deux en génie mécanique. Sa thèse de maîtrise était «High Speed Flow in Square Diffusers» publiée en 1948, et sa thèse de doctorat était « High Speed Compressible Flow in Square Diffusers» publiée en janvier 1949[2].
Laboratoires téléphoniques Bell (1949-1962)
Après avoir terminé son doctorat à l'Université Purdue, Mohamed M. Atalla a été employé chez Bell Téléphone Laboratoires (BTL) en 1949[3]. En 1950, il a commencé à travailler dans les opérations de Bell à New York, où il a travaillé sur des problèmes liés à la fiabilité des relais électromécaniques[4], et a travaillé sur les réseaux téléphoniques à commutation de circuits[5]. Avec l'émergence des transistors, Atalla a été transféré au laboratoire de Murray Hill, où il a commencé à diriger une petite équipe de recherche sur les transistors en 1956. Bien qu'il soit issu d'un génie mécanique et n'ayant aucune formation formelle en chimie physique, il s'est avéré être un apprenant rapide en chimie physique et en physique des semi -conducteurs, démontrant finalement un haut niveau de compétence dans ces domaines. Il a étudié, entre autres, les propriétés de surface des semi-conducteurs en silicium et l'utilisation de la silice comme couche protectrice des dispositifs semi-conducteurs en silicium. Il a finalement adopté les pseudonymes d'alias "Martin" M. Atalla ou "John" M. Atalla pour sa carrière professionnelle[6].
Entre 1956 et 1960, Atalla a dirigé une petite équipe de plusieurs chercheurs de BTL, dont Eileen Tannenbaum, Edwin Joseph Scheibner et Dawon Kahng. Ils étaient de nouvelles recrues à BTL, comme lui, sans chercheurs seniors dans l'équipe. Leur travail n'a d'abord pas été pris au sérieux par la haute direction de BTL et son propriétaire AT&T, en raison de l'équipe composée de nouvelles recrues, et du chef d'équipe Atalla lui-même issu d'une formation en génie mécanique, contrairement aux physiciens, physico-chimistes et mathématiciens qui ont été pris plus au sérieux, bien qu'Atalla ait démontré des compétences avancées en chimie physique et en physique des semi-conducteurs[7].
Bien qu'ils travaillent principalement seuls, Atalla et son équipe ont fait des progrès significatifs dans la technologie des semi-conducteurs. Selon Chih-Tang Sah, ingénieur chez Fairchild Semiconductor, le travail d'Atalla et de son équipe de 1956 à 1960 a été "l'avancée technologique la plus importante et la plus significative" dans la technologie des semi-conducteurs au silicium[8], y compris l'histoire des transistors et microélectronique[9].
Passivation de surface par oxydation thermique
Le principal objectif de la recherche d’Attalla était de résoudre le problème des états de surface du silicium. À cette époque, la conduction électrique de matériaux semi-conducteurs comme le germanium et le silicium était limité par des états de surface quantiques instables, c'est-à-dire que des électrons sont piégés à la surface, en raison de liaisons libres causées par des liaisons non saturées à la surface. Cela empêche l’électricité de pénétrer la surface de manière fiable pour atteindre la couche de silicium semi-conducteur. En raison du problème d’état de surface, le germanium était le matériau semi-conducteur prédominant pour les transistors et autres dispositifs semi-conducteurs dans l’ancienne industrie des semi-conducteurs, car le germanium était en mesure d’augmenter la mobilité des électrons[10],[11].
Distinctions
- Médaille Stuart Ballantine (maintenant la médaille Benjamin Franklin en physique) au Franklin Institute Award 1975 pour ses contributions significatives à la technologie des semi-conducteurs au silicium et à l'invention du MOSFET[12],[13].
- En 2003, Atalla a reçu un doctorat distingué d'anciens élèves de l'Université Purdue[14].
- En 2009, il a été intronisé dans le « National Inventors Hall of Fame » pour ses contributions importantes dans la technologie des semi-conducteurs[15]. Il a été connu comme l’un des "Sultans de Silicium" avec plusieurs autres pionniers de semi-conducteurs[16].
- En 2014, l’invention de 1959 de MOSFET a été inscrite sur la liste de « IEEE milestones » en électroniques[17].
- En 2015, Atalla a été inclus dans le tableau d’honneur de la IT History Society pour ses contributions importantes dans le domaine des technologies de l’information[1
ليست هناك تعليقات:
إرسال تعليق